RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2544
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link