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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
39
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
22
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
3232
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
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