RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
89
Intorno 56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
89
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
1571
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link