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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
39
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
3037
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
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