RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
33
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
2489
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link