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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
38
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
2400
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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