RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
39
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
31
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2236
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link