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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
11.7
13.9
写入速度,GB/s
7.2
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2236
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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