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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
3,573.5
18.6
写入速度,GB/s
1,308.1
13.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
3220
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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