RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
46
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
46
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2973
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link