RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
39
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
23
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2689
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link