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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
39
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
20
Velocità di lettura, GB/s
11.7
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3632
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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