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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
39
Por volta de -95% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
20
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3632
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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