RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.7
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
27
Velocità di lettura, GB/s
11.7
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3861
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link