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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
36
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2431
2720
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Confronto tra le RAM
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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