RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gesamtnote
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
39
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2431
2720
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link