RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gesamtnote
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
39
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2431
2720
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link