RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
2720
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link