RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3431
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link