RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2460
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link