RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2460
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link