RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2460
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link