RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
77
Intorno -120% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
35
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2460
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link