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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
14.2
写入速度,GB/s
2,622.0
10.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2460
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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