RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
74
Wokół strony -252% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2250
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link