RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2654
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link