RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2429
3170
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link