RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
4506
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link