RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3100
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link