RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
2852
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link