RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3428
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link