RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
92
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3142
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link