RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
27
Velocità di lettura, GB/s
11.7
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3929
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link