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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston HX424C15FB/16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
39
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
22
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2550
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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