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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston HX424C15FB/16 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston HX424C15FB/16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
11.7
15.5
写入速度,GB/s
7.2
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2550
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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