Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 39
    Intorno -26% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.9 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 7.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.7 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1749 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti