RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
no data
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3043
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link