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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
74
Intorno 47% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
74
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
1825
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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