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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
38
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2382
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
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