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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
38
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2382
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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