RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
66
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
66
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2429
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link