RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
56
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
23
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2130
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M391B5773DH0-YH9 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link