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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
56
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
32
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2528
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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