RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
56
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
28
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3706
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-100.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link