RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
56
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
31
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2971
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link