RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
56
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
28
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3593
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link