RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
56
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
35
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3147
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link