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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
56
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
34
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3700
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
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