RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
75
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
75
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
1735
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link