RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
56
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
26
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2728
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link