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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
56
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
29
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2419
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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