RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
56
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
41
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2044
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link